Samsung apresenta nova memória 3D para liderança em IA

A Samsung apresentou sua nova geração de memória 3D, com destaque para o conceito zHBM, que empilha verticalmente memória de alta largura de banda (HBM) diretamente sobre aceleradores de IA. Segundo a empresa, o sistema entrega cerca de 8 vezes o desempenho do HBM5 de próxima geração e mais de 10 vezes a densidade de memória, usando tecnologia avançada de wafer bonding. O zHBM também permitirá designs customizados.

A companhia também apresentou o zNAND-O, uma solução NAND de próxima geração baseada em sua tecnologia V-NAND, voltada para aplicações de IA em tempo real e com uso intensivo de dados. Outra novidade é a arquitetura V10 BV-NAND, a primeira do setor com mais de 400 camadas e nova arquitetura de wafer bonding, que aumenta a densidade de armazenamento em quase 60% em relação à geração anterior, além de melhorar velocidades de leitura e escrita.

A Samsung pretende iniciar a produção em massa do HBM4 no segundo semestre de 2026, mas ainda não definiu cronograma para o HBM5 ou para o zHBM. A empresa busca se posicionar como provedora de infraestrutura completa para a era da IA, em competição direta com SK Hynix - que liderou o boom inicial de memória para IA - e a americana Micron, num mercado que se aproxima de US$ 1 trilhão.